-
1 base-to-emitter voltage
1) Техника: напряжение между базой и эмиттером (транзистора)2) Электроника: напряжение база-эмиттерУниверсальный англо-русский словарь > base-to-emitter voltage
-
2 base-to-emitter voltage
English-Russian electronics dictionary > base-to-emitter voltage
-
3 base-to-emitter voltage
English-Russian dictionary of telecommunications > base-to-emitter voltage
-
4 emitter-base (d.с.) voltage
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base (d.с.) voltage
-
5 base-emitter voltage
напряжение база - эмиттер
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > base-emitter voltage
-
6 base-emitter voltage
Техника: напряжение база-эмиттер -
7 saturation base-emitter voltage
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation base-emitter voltage
-
8 maximum emitter-base (d.c.) voltage
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum emitter-base (d.c.) voltage
-
9 voltage
1) напряжение, разность потенциалов2) потенциал•- accelerating voltagevoltage across — напряжение на (напр. зажимах)
- acceleration voltage
- active voltage
- actuating voltage
- allowable voltage
- alternating voltage
- anode voltage
- anode breakdown voltage
- anode-cathode voltage
- anode-to-cathode voltage
- applied voltage
- arc voltage
- arc-drop voltage
- asymptotic breakdown voltage
- avalanche voltage
- avalanche breakdown voltage
- average voltage
- back voltage
- balanced voltages
- barrier voltage
- base voltage
- baseband voltage
- base-to-emitter voltage
- bath voltage
- bias voltage
- birefringence threshold voltage
- black-out voltage
- blanking voltage
- blocking voltage
- blue video voltage
- booster voltage
- branch voltage
- breakdown voltage
- breakover voltage
- bridge supply voltage
- bucking voltage
- built-in voltage
- bus voltage
- calibration voltage
- capacitor voltage
- catcher voltage
- cathode voltage
- cathode sheath voltage
- cathode storage-element equilibrium voltage
- cell voltage
- charge voltage
- circuit voltage
- clamp voltage
- clock voltage
- closed-circuit voltage
- coercive voltage
- collector voltage
- collector breakdown voltage
- collector storage-element equilibrium voltage
- collector-to-base voltage
- collector-to-emitter voltage
- color voltage
- commercial-frequency voltage
- common-mode voltage
- commutating voltage
- compensating voltage
- complex voltage
- compliance voltage
- composite controlling voltage
- computer voltage
- constant voltage
- contact voltage
- control voltage
- control-circuit voltage
- convergence voltage
- corona start voltage
- counter voltage
- crest voltage
- critical voltage
- critical anode voltage
- critical grid voltage
- crossover voltage
- current-resistance voltage
- cutoff voltage
- dc voltage
- decelerating voltage
- decomposition voltage
- deflecting voltage
- derivative voltage
- dielectric breakdown voltage
- differential-mode voltage
- dipole voltage
- dipole barrier voltage
- direct voltage
- discharge voltage
- disruptive discharge voltage
- domain voltage
- drain voltage
- driving voltage
- drop-away voltage
- drop-out voltage
- effective voltage
- electric voltage
- electrode voltage
- emitter voltage
- equilibrium voltage
- error voltage
- excess voltage
- excess domain voltage
- excitation voltage
- extinction voltage
- extinguishing voltage
- extra-high voltage
- Faraday voltage
- field voltage
- filament voltage
- final voltage
- firing voltage
- first breakdown voltage
- first crossover voltage
- flashback voltage
- flashover voltage
- flat-band voltage
- floating voltage
- fluctuation voltage
- flyback voltage
- focusing voltage
- formation voltage
- forming voltage
- forward voltage
- forward breakover voltage
- forward gate voltage
- fuel-cell voltage
- gate voltage
- gate nontrigger voltage
- gate trigger voltage
- gate turn-off voltage
- generated voltage
- gradient-established storage-element equilibrium voltage
- green-video voltage
- grid voltage
- half-wave voltage
- Hall voltage
- heater voltage
- high voltage
- high-level voltage
- holding voltage
- ignition voltage
- impressed voltage
- induced voltage
- inflection-point voltage
- initial voltage
- initial inverse voltage
- injected voltage
- in-phase voltage
- input voltage
- input error voltage
- interference voltage
- internal correction voltage
- inverse voltage
- ionization voltage
- junction voltage
- keep-alive voltage
- kickback voltage
- line voltage
- link voltage
- load voltage
- logical-threshold voltage
- low-level voltage
- magnetron critical voltage
- mains voltage
- maintaining voltage
- mask voltage
- minimum off-state voltage
- neutralizing voltage
- node voltage
- node-to-datum voltage
- noise voltage
- no-load voltage
- nominal voltage
- offset voltage
- off-load voltage
- off-state voltage
- on-load voltage
- on-state voltage
- open-circuit voltage
- operating voltage
- oscillating voltage
- out-of-balance voltages
- out-of-phase voltage
- output voltage
- output offset voltage
- pace voltage
- peak voltage
- peak inverse voltage
- peak-point voltage
- peak reverse voltage
- peak-to-peak voltage
- periodic voltage
- permissible voltage
- phase voltage
- photoelectric voltage
- pickup voltage
- pinch-off voltage
- plate voltage
- polarizing voltage
- poling voltage
- primary voltage
- principal voltage
- projected peak-point voltage
- psophometric voltage
- pull-in voltage
- pulsating voltage
- pump voltage
- punch-through voltage
- puncture voltage
- push-pull voltages
- push-push -voltages
- rail voltage
- rated voltage
- rated impulse withstand voltage
- reactive voltage
- rectified voltage
- rectifier-load voltage
- red video voltage
- reference voltage
- reflector voltage
- reignition voltage
- residual voltage
- resistance voltage
- resonance voltage
- reverse voltage
- reverse-bias voltage
- reverse-bias breakdown voltage
- ripple voltage
- root-mean-square voltage
- saturation voltage
- sawtooth voltage
- scanning voltage
- screen-grid voltage
- secondary voltage
- secondary-emission crossover voltage
- second-crossover voltage
- self-breakdown voltage
- self-firing voltage
- self-induction voltage
- shot-noise voltage
- signal voltage
- single-ended input voltage
- single-ended output voltage
- sinusoidal voltage
- source voltage
- square-wave voltage
- stabilized voltage
- staircase voltage
- starter breakdown voltage
- starting voltage
- step voltage
- storage-element equilibrium voltage
- supply voltage
- surge voltage
- sweep voltage
- swing voltage
- switching voltage
- synchronousvoltage
- tank voltage
- target voltage
- temperature voltage
- thermocouple voltage
- thermoelectric voltage
- threshold voltage
- time-base voltage
- touch voltage
- tree-branch voltage
- tunnel breakdown voltage
- ultrahigh voltage
- unit step voltage
- valley voltage
- variable voltage
- working voltage
- Zener voltage -
10 Emitter-Basis-Spannung
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Spannung
-
11 emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
-
12 Emitter-Basis-Durchbruchspannung
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruchspannung
-
13 Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
-
14 Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
-
15 emitter-base voltage
Микроэлектроника: напряжение эмиттерного перехода -
16 emitter-to-base voltage
Техника: напряжение между эмиттером и базойУниверсальный англо-русский словарь > emitter-to-base voltage
-
17 maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
-
18 tension continue émetteur-base maximale
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension continue émetteur-base maximale
-
19 tension continue émetteur-base
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension continue émetteur-base
-
20 Basis-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basis-Emitter-Sättigungsspannung
См. также в других словарях:
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
Voltage stabilizer — Unreferenced|date=July 2008A voltage stabilizer is an electronic device able to deliver relatively constant output voltage while input voltage and load current changes over time. The output voltage is usually regulated using a transistor. In a… … Wikipedia
Emitter-coupled logic — Motorola ECL 10,000 basic gate circuit diagram[1] In electronics, emitter coupled logic (ECL), is a logic family that achieves high speed by using an overdriven BJT differential amplifier with single ended input, whose emitter current is limited… … Wikipedia
Voltage-to-current converter — Introduction For a variety of reasons, in low voltage electronics, voltage is a more frequently used data carrier. Thus electronic devices tend to be labeled with voltage inputs and outputs. However some devices are labeled in terms of current… … Wikipedia
Voltage divider — In electronics, a voltage divider (also known as a potential divider) is a simple linear circuit that produces an output voltage ( V out) that is a fraction of its input voltage ( V in). Voltage division refers to the partitioning of a voltage… … Wikipedia
Common emitter — Figure 1: Basic NPN common emitter circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common emitter amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used as a voltage amplifier.… … Wikipedia
Common base — Figure 1: Basic NPN common base circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common base (also known as grounded base) amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used… … Wikipedia
Current-to-voltage converter — In electronics, a transimpedance amplifier is an amplifier that converts current to voltage. Its input ideally has zero impedance, and the input signal is a current. Its output may have low impedance, or in high frequency applications, may be… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Brokaw bandgap reference — is a voltage reference circuit widely used in integrated circuits, with an output voltage around 1.25 V with only little temperature dependence. This particular circuit is one type of a bandgap voltage reference, named after the author of its… … Wikipedia
Bipolar transistor biasing — Bipolar transistor amplifiers must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are … Wikipedia
